半導體元件測試系統是一套應用在半導體測試行業中進行高溫低溫測試的系統，其中溫度范圍比較寬，低溫可達-45℃，高溫可達250℃，半導體元件測試系統整個系統為全密閉系統，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水分，系統在運行中不會因為高溫使壓力上升，低溫自動補充導熱介質。

　　半導體元件測試系統整個真空室位于擴散泵正上方，有利于抽氣，加快抽氣速率，使真空室容易達到高真空。真空室內設有紫銅封閉液氮池，可以在高真空下吸附氣體分子，提高真空度1個數量。使被測物在高真空中，不受環境影響進行測試、分析。

　　半導體元件測試系統真空室裝置的真空室的法蘭與真空機組的擴散泵抽氣法蘭對接，開口處是20mm厚的防爆玻璃為觀察窗口，內腔由紫銅液氮池，由漏斗將液氮倒入，經直徑6mm的紫銅管進入液氮池，另一根管口是揮發出氣口，池頂的平臺是樣品測試臺，上面有15根測試用線，引出真空室外，在外面連接各種測量設備。真空室內的氣體分子被吸附固定在液氮池表面，提高了真空度。透過高溫防爆玻璃，還可以觀察測量樣品的位移變化和發光強度。

　　半導體元件測試系統取放樣品時，先將固定玻璃的緊固圈旋開，拿開防爆玻璃再取放樣片。法蘭口與擴散泵的抽氣口連接，真空度在1小時內可達1.5×10-3Pa。需要低溫時將2升液氮由漏斗到入內腔液氮池，出氣孔位于內腔液氮池的頂部，由直徑6mm的紫銅管引出密封真空室外，樣品五分鐘內可由室溫降到-45℃。在液氮蒸發減少過程中，液面降低，溫度逐漸上升，控制液面的高低，就可以控制溫度。控制高閥大小，就可以控制真空度。需要高溫測試時，可由調壓器控制真空室內部的輻射式加熱器提升到較高250℃。可通過引入線控制加熱溫度，進行導電率、發光率、變形率、超導率的測試。

　　半導體元件測試系統的導熱介質出口溫度、介質溫度、制冷系統冷凝溫度、環境溫度、壓縮機吸氣溫度都可以反饋，升降溫快速，效果穩定。（注：本來部分內容來百度學術相關論文，如果侵權，請及時聯系我們進行刪除，謝謝。）